一、单极晶体管

单极晶体管又称场效应管，简称FET(Field Effect Transistor)。它是一种由输入电压产生的电场效应控制输出电流大小的电压控制装置。它只有一个载流子（大多数载流子）参与导电，因此被称为单极晶体管。

特点：

输入电阻高，可达107 ~ 1015 Ω，绝缘格栅场效应管(IGFET) 可高达 1015 Ω。

噪音低，热稳定性好，工艺简单，易于集成，设备特性控制方便，功耗小，体积小，成本低。

分类：

根据材料的不同，可分为结型场效应管JFET (Junction Field Effect Transistor)IGFET和绝缘格栅场效应管(Insulated Gate FET) 。

二、双极晶体管

双极晶体管又称晶体三极管，是由输入电流控制输出电流的电流控制装置，具有电流放大的作用。它有两种载流子，电子和空穴参与导电过程，因此被称为双极三极管。

特点：

三极管可用于放大微弱信号，并作为无触点开关。它具有结构牢固、使用寿命长、体积小、功耗低等一系列独特优点，广泛应用于各个领域。

分类：

根据材料的不同，晶体三极管可分为硅管(Si)与锗管(Ge)。

硅三极管反向泄漏电流小，耐压高，温度漂移小，在高温下工作，功率损失大。锗三极管增益大，频率响应好，特别适用于低压线路。